サービス系

RHEED/LEED装置

メーカー
型番(形式)
設置場所 2号館605B室
管理室 RCS-III
公開範囲 学内

反射高速電子線回折法(Reflection High Energy Electron Diffraction : RHEED)は、真空中で10~50keV程度の電子線を試料表面に浅い角度で入射させ、試料表面の数原子層程度の結晶格子で回折した反射図形を検出することで結晶表面の状態を調べる分析手法です。低速電子線回折法(Low Energy Electron Diffraction:LEED)は低速(数百~数十eV)の電子線を固体表面に照射し,固体表面の原子により散乱された電子線の回折像から表面の原子配列に関する情報を得る方法です。本装置では、RHEEDとLEEDの両測定を、試料を真空中から取り出さず行うことができます。

装置性能および仕様

最高到達真空度 約10-9 torr

分析対象

状態 主に無機固体結晶性材料(金属・半導体)

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