反射高速電子線回折法（Reflection High Energy Electron Diffraction : RHEED）は、真空中で10～50keV程度の電子線を試料表面に浅い角度で入射させ、試料表面の数原子層程度の結晶格子で回折した反射図形を検出することで結晶表面の状態を調べる分析手法です。低速電子線回折法（Low Energy Electron Diffraction:LEED）は低速（数百～数十eV）の電子線を固体表面に照射し，固体表面の原子により散乱された電子線の回折像から表面の原子配列に関する情報を得る方法です。表面数nm程度の情報が得られます。本装置では、RHEEDとLEEDの両測定を、試料を真空中から取り出さず行うことができます。