新共用プロジェクト

STM搭載RHEED装置

メーカー
型番(形式)
設置場所 2号館601B室
管理室 RCS-III
公開範囲 学内

反射高速電子線回折法(Reflection High Energy Electron Diffraction : RHEED)は、真空中で10~50keV程度の電子線を試料表面に浅い角度で入射させ、試料表面の数原子層程度の結晶格子で回折した反射図形を検出することで結晶表面の状態を調べる分析手法です。走査型トンネル顕微鏡(STM)は、探針・試料間距離に敏感なトンネル電流を利用して、表面形状を原子分解能で観察する手法です。試料を真空中で受け渡しでき、RHEEDで計測した試料の表面形状を原子分解能で観察できます。

装置性能および仕様

最高到達真空度 約10-9 torr

分析対象

状態 主に無機固体結晶性材料(金属・半導体)

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