物理・表面計測系
断面試料作製装置

| メーカー | 日本電子 |
|---|---|
| 型番(形式) | IB09020 |
| 導入年度 | 2009 |
| 設置場所 | 22号館401室 |
| 管理室 | X線マイクロアナライザー室 |
| 公開範囲 | 学内外 |
| 技術職員 | 配置あり |
| 学内利用 | 機器分析受付システム |
アルゴンイオンビームを試料に照射し、試料原子が弾き出されるスパッタリング現象を利用して試料を削る方法です。従来の機械研磨では困難な材料の断面作製に適しています。
装置性能および仕様
| イオン加速電圧 | 2~6kV |
|---|---|
| イオンビーム径 | 500um(半値幅) |
| ミリングスピード | 100um/h以上(6kV) |
| 使用ガス | アルゴンガス |
分析対象
| 状態 | 固体 |
|---|---|
| 物質 | 金属、半導体、鉱物、高分子、セラミックス |
| 最大試料サイズ | 11mm×10mm×2mmt |