物理・表面計測系

冷却クロスセクションポリッシャ(CCP)

メーカー日本電子
型番(形式)IB19520CCP
製品カタログ(学内アクセスのみ)
設置場所2号館113B室
管理室FIB-SEM室
公開範囲学内外
技術職員配置あり
学内利用機器分析受付システム

SEMやEPMAでの観察・分析の前処理として最適な装置です。加工の様子をモニターで確認できるため、従来多かった削り残し・削りすぎなどの失敗を防げます。
断面ミリングでは、冷却モードや間欠モードを用いることでイオンビームによる試料への熱ダメージを軽減させる事ができます。また、通常の高加速加工後に仕上げ加工へ自動で切り替えることで、高品質な断面作製を行えます。さらに、大気非曝露機構がついているため、加工から観察までを大気非曝露環境下で行うことが可能です。
平面ミリングでは、表面のイオンエッチングや機械研磨による傷や加工歪みを除去することができます。特にEBSD測定を行う前の仕上げ加工に最適です。

装置性能および仕様

共通部分

イオン加速電圧2~8kV
ミリングスピード500um/h以上(8kV)
使用ガスアルゴン

断面ミリング

冷却モード冷却到達温度:-120℃以下
冷却温度設定範囲:-120~0℃
試料スイング±30度
カーボンコーティング可能
広域断面ミリングモード最大加工幅8mm
最大搭載試料サイズ11mm (幅)×8mm (長さ)×3mm (厚さ)
25mm (幅)×15mm (長さ)×10mm (厚さ) ※広域加工ホルダー使用時
その他間欠モード、大気非曝露機構、日本電子製SEMの互換ホルダー

平面ミリング

傾斜0~90度
試料回転数3±2rpm 固定
カーボンコーティング可能
最大搭載試料サイズ40mm (直径)×15mm (厚さ)
その他冷却および大気非曝露は不可

分析対象

状態固体
物質金属、半導体、鉱物、高分子、セラミックス

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