物理・表面計測系
イオンビームスパッタリング装置
| メーカー | 日本真空技術社 |
|---|---|
| 型番(形式) | IBS-2000BK |
| 設置場所 | 22号館164室 |
| 管理室 | 成膜室 |
| 公開範囲 | 学内のみ |
| 技術職員 | 配置なし |
低エネルギーイオンビームを用いたスパッタリング法により、絶縁物・金属薄膜および各種化合物等、新素材の創成を目的とした薄膜作成装置です。また、アシスト用のイオン源及びＥ／Ｂ蒸発源を増設し、異種材料の複合成膜や表面改質等により、新機能材料の研究開発を行うことも可能です。
装置性能および仕様
| 到達圧力 | １×１０－８Ｔｏｒｒ台 |
|---|---|
| プロセス圧力 | １×１０－４Ｔｏｒｒ台（Ａｒガス）：ガス流量１～５ＣＣＭ（通常３．５ＣＣＭ） |
| 成膜速度 | １００～１５０ A / ｍｉｎ （ターゲット ＳｉＯ２） |
| 膜厚分布 | ５０Φ基板に対して１０００ A ±１０％ |
| 基板加熱速度 | 最大４００℃：基板近傍設置の熱電対による温度調整をダミー基板にて校正 |
| 基板回転 | ０～１０ｒｐｍ（モーター駆動） |
| 基板位置 | ターゲット面より１５ｃｍ |
| イオン銃 | 米国イオンテック社製３ｃｍイオンガン |
分析対象
| ターゲットサイズ | ３インチの円板（板厚５ミリまで）で、銅製の円板（底部にＭ１０のネジ）に固定する |
|---|---|
| ターゲットの数 | ターゲットホルダーは４種類迄のターゲット材料が取り付け可能です。大気にさらすことなく多層膜作製ができます |
| 基板サイズ | 試料ステージ（５５Φのアルミニウム製またはステンレス製の円板）にネジで固定できるものであればよい |