物理・表面計測系

イオンビームスパッタリング装置

ibs2000bk
メーカー日本真空技術社
型番(形式)IBS-2000BK
設置場所22号館164室
管理室成膜室
公開範囲学内のみ

低エネルギーイオンビームを用いたスパッタリング法により、絶縁物・金属薄膜および各種化合物等、新素材の創成を目的とした薄膜作成装置です。また、アシスト用のイオン源及びE/B蒸発源を増設し、異種材料の複合成膜や表面改質等により、新機能材料の研究開発を行うことも可能です。

装置性能および仕様

到達圧力1×10-8Torr台
プロセス圧力1×10-4Torr台(Arガス):ガス流量1~5CCM(通常3.5CCM)
成膜速度100~150 A / min (ターゲット SiO2)
膜厚分布50Φ基板に対して1000 A ±10%
基板加熱速度最大400℃:基板近傍設置の熱電対による温度調整をダミー基板にて校正
基板回転0~10rpm(モーター駆動)
基板位置ターゲット面より15cm
イオン銃米国イオンテック社製3cmイオンガン

分析対象

ターゲットサイズ3インチの円板(板厚5ミリまで)で、銅製の円板(底部にM10のネジ)に固定する
ターゲットの数ターゲットホルダーは4種類迄のターゲット材料が取り付け可能です。大気にさらすことなく多層膜作製ができます
基板サイズ試料ステージ(55Φのアルミニウム製またはステンレス製の円板)にネジで固定できるものであればよい

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