物理・表面計測系

電界放出型電子プローブマイクロアナライザ(EPMA)

メーカー日本電子
型番(形式)JXA-8530F
設置場所22号館402室
管理室X線マイクロアナライザー室
公開範囲学内外
技術職員配置あり
学内利用機器分析受付システム
学外依頼大学連携研究設備ネットワーク

電子プローブマイクロアナライザー(FE-EPMA)は固体表面に電子線を照射し、二次電子や反射電子などによる像観察と同時に、試料から発生する特性X線を検出して、構成元素とその量を測定することができる。金属、半導体、セラミックス、鉱物などの定量分析、定性分析、さらに線分析、面分析、相分析ができる。また、本装置には軟X線分光器を有しており、軽元素の分析も可能です。

装置性能および仕様

分析元素範囲WDS : Be~U
EDS : B~U
X線分光範囲WDS分光範囲 : 0.087〜9.3nm,
EDSエネルギーレンジ : 20keV
X線分光器数WDS : 3基
EDS : 2基
加速電圧1~30kV
照射電流範囲10-12~ 5×10-7A
二次電子分解能3 nm (WD:11 mm, 30 kV)
分析条件最小プローブ径40 nm (10 kV, 1×10-8 A)
100 nm (10 kV, 1×10-7 A)
走査倍率× 40 ~ × 300,000 (W D:11 mm)
軟X線分光器検出限界:20 ppm(カタログ値)
分解能:0.3 eV(Al-L発光スペクトル 73 eV測定時)
回折格子:ラミナー型収差補正不等間隔溝回折格子
CCDカメラ:軟X線分光器用背面照射型X線CCDカメラ
取得エネルギー範囲:50-170 eV (回折格子JS50XL)、70-210 eV (回折格子JS200N)
大気非曝露トランスファーベッセルあり
遠隔観察Microsoft Teams等のWeb会議システムを用いた遠隔の立ち会い測定が可能

分析対象

状態固体
物質金属、半導体、鉱物、高分子、セラミックス
試料サイズ通常:30 mmφ × 20 mm以内
最大:100 mm × 100 mm × 50 mm(高さ調整機構が必要)
粉末の場合:インジウム圧着に数mg必要
分析不可水分やガスを多く含むもの、磁性材料

測定例

岩石(エクロジャイト)の元素マッピング

EPMA-MAP

ご依頼時に必要な情報

  • 測定の目的
  • 試料の個数
  • 試料の大きさ(試料単体の大きさと樹脂包埋されている場合はその大きさ)
  • 試料の状態(樹脂包埋→SiC研磨→最終は1μmダイヤモンドペーストバフ研磨、樹脂包埋のみなど詳細に)
  • 薄膜の場合、その膜厚
  • 測定種類(定性・定量・マップ・ライン から選択)
  • 測定範囲(定性・定量は【スポット、20μmφ】、マップ・ラインは【30×30μm、30μm】など詳細に)
  • 測定点数(1試料5箇所定量など)
  • 試料含有元素(わかる範囲で)と各元素の大まかな含有量(wt%)
  • 測定希望元素(マップ・ラインの場合のみ)
  • 導電性の有無(試料単体の導電性と樹脂包埋されている場合はその導電性)
  • 磁性の有無
  • 腐食性の有無
  • 毒性の有無
  • 結晶性の有無(ある場合は多結晶か単結晶か)
  • 水分・ガス等の含有の可能性の有無

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