物理・表面計測系
電界放出型電子プローブマイクロアナライザ(EPMA)
| メーカー | 日本電子 |
|---|---|
| 型番(形式) | JXA-8530F |
| 設置場所 | 22号館402室 |
| 管理室 | X線マイクロアナライザー室 |
| 公開範囲 | 学内外 |
電子プローブマイクロアナライザー（FE-EPMA）は固体表面に電子線を照射し、二次電子や反射電子などによる像観察と同時に、試料から発生する特性X線を検出して、構成元素とその量を測定することができる。金属、半導体、セラミックス、鉱物などの定量分析、定性分析、さらに線分析、面分析、相分析ができる。また、本装置には軟X線分光器を有しており、軽元素の分析も可能です。
装置性能および仕様
| 分析元素範囲 | WDS : Be~U EDS : B~U |
|---|---|
| X線分光範囲 | WDS分光範囲 : 0.087〜9.3nm, EDSエネルギーレンジ : 20keV |
| X線分光器数 | WDS : 3基 EDS : 2基 |
| 加速電圧 | 1~30kV |
| 照射電流範囲 | 10-12～ 5×10-7A |
| 二次電子分解能 | 3 nm (WD:11 mm, 30 kV) |
| 分析条件最小プローブ径 | 40 nm (10 kV, 1×10-8 A) 100 nm (10 kV, 1×10-7 A) |
| 走査倍率 | × 40 ～ × 300,000 (W D:11 mm) |
| 軟X線分光器 | 検出限界：20 ppm(カタログ値） 分解能：0.3 eV（Al-L発光スペクトル 73 eV測定時） 回折格子：ラミナー型収差補正不等間隔溝回折格子 CCDカメラ：軟X線分光器用背面照射型X線CCDカメラ 取得エネルギー範囲：50-170 eV （回折格子JS50XL）、70-210 eV （回折格子JS200N） |
| 遠隔観察 | Web会議システムによる立ち会い測定が可能 |
分析対象
| 状態 | 固体 |
|---|---|
| 物質 | 金属、半導体、鉱物、高分子、セラミックス |
| 試料サイズ | 通常：30 mmφ × 20 mm以内 最大：100 mm × 100 mm × 50 mm（高さ調整機構が必要） |
| 分析不可 | 水分やガスを多く含むもの、磁性材料 |
測定例
岩石（エクロジャイト）の元素マッピング
